形成在绝缘材料上的静电潜象无损读出的方法及装置
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
描述了用于无损读出在绝缘材料片或层上形成的静电潜像的方法和装置。半导体材料片或层置于与绝缘材料相当接近的位置上。形成在绝缘材料上的静电潜像在半导体材料的表面生成感应产生的表面耗尽层。当用合适波长的低强度调制光束扫描半导体时，在半导体材料上积累的电荷的位置及其分布作相应于半导体材料上感生的交流表面光电压的模拟信号读出，模拟信号的大小依赖于局部电荷密度。然后将所得到的模拟电信号数字化，处理，贮存和/或显示。
基本信息
专利标题 ：
形成在绝缘材料上的静电潜象无损读出的方法及装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN86102223A
申请号 ：
CN86102223.8
公开（公告）日 ：
1986-11-05
申请日 ：
1986-04-01
授权号 ：
CN1007292B
授权日 ：
1990-03-21
发明人 ：
埃米尔·卡米恩尼克基
申请人 ：
埃米尔·卡米恩尼克基
申请人地址 ：
美国马萨诸塞州列克星敦卡维尔街30号
代理机构 ：
中国专利代理有限公司
代理人 ：
李先春
优先权 ：
CN86102223.8
主分类号 ：
G01R5/28
IPC分类号 ：
G01R5/28 G01R29/14 G01R29/24 G01T1/14
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R5/00
将单个的电流或电压转换成为机械位移的仪表
G01R5/28
静电式仪表
法律状态
1994-02-09 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1990-12-12 ：
授权
1990-03-21 ：
审定
1986-11-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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