一种等离子阳极化方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
一种等离子阳极化方法。它能够以较简单的设备，可靠地重复地大批量地在300～600℃温度条件下，对半导体晶片进行自身氧化。经退火处理后，氧化层和界面特性都能达到高温热氧化水平，却克服了高温热氧化固有的溅射效应，杂质再分布，鸟嘴效应等有害影响。
基本信息
专利标题 ：
一种等离子阳极化方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN86102538A
申请号 ：
CN86102538.5
公开（公告）日 ：
1988-09-21
申请日 ：
1986-10-29
授权号 ：
CN86102538B
授权日 ：
1988-11-02
发明人 ：
李琼
申请人 ：
华东师范大学
申请人地址 ：
上海市普陀区中山北路3663号
代理机构 ：
华东师范大学专利事务所
代理人 ：
汤锦森
优先权 ：
CN86102538.5
主分类号 ：
H01L21/31
IPC分类号 ：
H01L21/31
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
法律状态
1993-03-24 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1989-09-27 ：
授权
1988-11-02 ：
审定
1988-09-21 ：
公开
1987-06-03 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN86102538A.PDF
PDF下载
