利用氟化气体混合物进行硅的等离子体蚀刻
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
利用氟化气体混合物进行等离子体蚀刻硅的一个方法。在蚀刻室里，利用CHF3和SF8混合物形成等离子体对硅进行蚀刻。通过改变CHF3/SF6混合物中CHF3的百分比可以控制蚀刻的定向度。该方法对被蚀刻的硅表面无不利影响，从而不需要为补救硅表面而进行蚀刻后的热处理步骤。
基本信息
专利标题 ：
利用氟化气体混合物进行硅的等离子体蚀刻
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN86103233A
申请号 ：
CN86103233.0
公开（公告）日 ：
1987-02-18
申请日 ：
1986-05-09
授权号 ：
CN1005882B
授权日 ：
1989-11-22
发明人 ：
曾志华
申请人 ：
英特尔公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州圣克拉拉鲍尔斯街3065号
代理机构 ：
中国专利代理有限公司
代理人 ：
魏金玺
优先权 ：
CN86103233.0
主分类号 ：
H01L21/306
IPC分类号 ：
H01L21/306
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306
化学或电处理，例如电解腐蚀
法律状态
1993-08-25 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1990-08-08 ：
授权
1989-11-22 ：
审定
1988-10-26 ：
实质审查请求
1987-02-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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