垂直倒相器电路
专利权的终止专利权有效期届满
摘要
本发明实施例中包括一种垂直倒相器(31，32，33)。在一块N型衬底的表面，形成一层P型材料层，再依次形成一层N型层；一层P型层；一层N型和一层P型层(在制备过程中，可以掺各种不同的杂质，这并不超出本发明的范畴)。再沿着以上述方法形成的叠层的一侧蚀刻一条沟槽，在P型和N型层的中间形成一接线端。再形成另一沟槽，其中有一栅极绝缘体和一栅极(A，B)。该栅极作为以上述方法形成的N型沟道和P型沟道晶体管的栅极。
基本信息
专利标题 ：
垂直倒相器电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN86108046A
申请号 ：
CN86108046.7
公开（公告）日 ：
1987-07-01
申请日 ：
1986-10-28
授权号 ：
CN1007478B
授权日 ：
1990-04-04
发明人 ：
阿什温·H·萨巴拉布·K·查特尔基
申请人 ：
得克萨斯仪器公司
申请人地址 ：
美国得克萨斯州75265达拉斯市
代理机构 ：
上海专利事务所
代理人 ：
冯晓明
优先权 ：
CN86108046.7
主分类号 ：
H01L27/08
IPC分类号 ：
H01L27/08
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/08
只包括有一种半导体组件的
法律状态
2002-06-05 ：
专利权的终止专利权有效期届满
1990-10-31 ：
授权
1990-04-04 ：
审定
1989-04-05 ：
实质审查请求
1987-07-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN1007478B.PDF
PDF下载
2、
CN86108046A.PDF
PDF下载
