CMOS电路直接触发的可控硅交流控制装置
专利权的终止未缴纳年费专利权终止
摘要
本实用新型涉及一种灵敏的可控硅交流控制装置，由运行于交流市电的CMOS电路直接触发由两支单向可控硅和一支二极管组成的准双向可控硅，或由准双向可控硅和一支双向可控硅组成的大功率复合可控硅。本实用新型以微安级触发电流，即能实现小功率交流负载的控制，也可以实现对几安、几十安至几百安甚至更大交流负载的控制。利用本实用新型的准双向可控硅和复合可控硅可以组成以微安级电流控制触发的新型通用的双向可控硅系列。
基本信息
专利标题 ：
CMOS电路直接触发的可控硅交流控制装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN86206231.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
1986-08-25
授权号 ：
CN86206231U
授权日 ：
1988-02-10
发明人 ：
庄建方许斯乾
申请人 ：
广东省农业机械研究所
申请人地址 ：
广东省广州市石牌省农业机械研究所
代理机构 ：
广东专利事务所
代理人 ：
周长久
优先权 ：
CN86206231.4
主分类号 ：
H02M1/06
IPC分类号 ：
H02M1/06
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法律状态
1991-01-23 ：
专利权的终止未缴纳年费专利权终止
1988-11-16 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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