制造阴极射线管的方法
专利权的终止(专利权有效期届满)
摘要
根据本发明，通过主要由缩合硅酸烷基酯构成的聚烷基硅氧烷的缩合反应，在阴极射线管(1)屏盘(2)上形成一层SiO2薄膜，从而容易地形成一层高粘结强度的抗静电/防反射薄膜(3)。结果，能适当地设定形成抗静电/防反射薄膜(3)的烧结条件。抗静电效果得到进一步增强，外光反射减小而工作能力大大改善。
基本信息
专利标题 ：
制造阴极射线管的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN87101270A
申请号 ：
CN87101270.7
公开（公告）日 ：
1988-07-06
申请日 ：
1987-12-23
授权号 ：
CN1009879B
授权日 ：
1990-10-03
发明人 ：
伊藤武夫松田秀三吉迫守八木修
申请人 ：
株式会社东芝;多摩化学工业株式会社
申请人地址 ：
日本神奈川县
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人 ：
杜日新
优先权 ：
CN87101270.7
主分类号 ：
H01J9/24
IPC分类号 ：
H01J9/24 H01J29/88
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J9/00
专用于制造放电管、放电灯及其部件的设备和方法；从放电管或灯回收材料
H01J9/24
管壳、引入线、管座的连接或制造
法律状态
2008-04-23 ：
专利权的终止(专利权有效期届满)
2002-03-20 ：
其他有关事项
1991-05-15 ：
授权
1990-10-03 ：
审定
1988-07-06 ：
公开
1988-06-08 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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