在多晶硅上具有平滑界面的集成电路
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
一种得到非常平滑的多晶硅1层/层间绝缘层/多晶硅2层的界面。本质上，多晶硅1层18是无定形相的LPCVD的沉积层和用注入掺杂的。这以后沉积一种适当的绝缘层20，接着多晶硅1层18在约1000℃温度下重结晶。然后，用LPCVD沉积多晶硅2层和在950℃温度下掺入POCl3，得到的多晶硅2/层间绝缘层/多晶硅1界面是一种原子范围的非常平滑的界面，甚至在其它器件制造的热循环以后也是如此，并且相信将导至优良的漏泄特性。
基本信息
专利标题 ：
在多晶硅上具有平滑界面的集成电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN87102505A
申请号 ：
CN87102505.1
公开（公告）日 ：
1987-12-30
申请日 ：
1987-03-31
授权号 ：
CN1007680B
授权日 ：
1990-04-18
发明人 ：
凯利帕特纳姆维维克·罗
申请人 ：
得克萨斯仪器公司
申请人地址 ：
美国得克萨斯75265达拉斯
代理机构 ：
上海专利事务所
代理人 ：
景星光
优先权 ：
CN87102505.1
主分类号 ：
H01L21/82
IPC分类号 ：
H01L21/82 H01L27/02 H01L29/92
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
法律状态
2002-05-29 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1990-11-14 ：
授权
1990-04-18 ：
审定
1989-08-23 ：
实质审查请求
1987-12-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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