多层莫来石陶瓷基片及其生产方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明涉及多层莫来石陶瓷基片，更具体地涉及适用于安装诸如各种LSI芯片等小型电子元件的多层莫来石陶瓷基片，其目的在于提供一种在基片各表面上有高接合面可靠性的镀膜层的多层莫来石陶瓷基片和生产该基片的方法，其特征在于，在各布线导体上形成由镍和硼组成的镀膜层、用于保护各布线导体或各电子元件的焊接面。利用这种结构，能够避免在各引线端部处镀膜的隆起和基片各表面上出现裂纹。
基本信息
专利标题 ：
多层莫来石陶瓷基片及其生产方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN87108030A
申请号 ：
CN87108030.3
公开（公告）日 ：
1988-06-29
申请日 ：
1987-11-25
授权号 ：
CN1006356B
授权日 ：
1990-01-03
发明人 ：
石原昌作藤田毅黑木乔槌田诚一户田尧三
申请人 ：
株式会社日立制作所
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国专利代理有限公司
代理人 ：
何耀煌
优先权 ：
CN87108030.3
主分类号 ：
H05K3/00
IPC分类号 ：
H05K3/00 H05K3/22
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法律状态
2007-01-24 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
2002-03-20 ：
其他有关事项
1990-09-19 ：
授权
1990-01-03 ：
审定
1988-06-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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