采用MOS器件接近开关
专利权的终止未缴纳年费专利权终止
摘要
采用MOS器件的接近开关中使用了两MOS器件，一用于整形放大，另一用于末级功率放大，从而使接近开关体积缩小，成本降低，功率增大，抗干扰能力强。能在零下20℃低温下或50℃高温下工作。适用于各种定位控制或信号检测的装置或场合。
基本信息
专利标题 ：
采用MOS器件接近开关
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN87211201.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
1987-09-17
授权号 ：
CN87211201U
授权日 ：
1988-06-08
发明人 ：
夏士华
申请人 ：
夏士华
申请人地址 ：
江苏省兴化县英武街东二巷1号
代理机构 ：
上海工业大学专利事务所
代理人 ：
贾泽才
优先权 ：
CN87211201.2
主分类号 ：
H03K17/945
IPC分类号 ：
H03K17/945
相关图片
法律状态
1992-01-01 ：
专利权的终止未缴纳年费专利权终止
1989-03-08 ：
授权
1988-06-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN87211201U.PDF
PDF下载
