抗磁场干扰的横向电压型压力传感器
专利权的终止未缴纳年费专利权终止
摘要
近年来出现的横向电压型压力传感器的核心部分是制作在硅膜上的一个四端半导体电阻器。由于其几何形状与磁敏霍尔器件类似，这种压力传感器也有磁敏性。本实用新型把几何尺寸和工艺参数完全相同的两个四端电阻器根据硅膜的形状，选取一定的位置和取向，并以特定的方式组合输出，可以获得消除磁场的干扰而又加强压力信号的压力传感器。
基本信息
专利标题 ：
抗磁场干扰的横向电压型压力传感器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN87211315.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
1987-10-22
授权号 ：
CN87211315U
授权日 ：
1988-07-27
发明人 ：
鲍敏杭齐薇佳于连忠
申请人 ：
复旦大学
申请人地址 ：
上海市邯郸路220号
代理机构 ：
复旦大学专利事务所
代理人 ：
陆飞
优先权 ：
CN87211315.9
主分类号 ：
G01L1/00
IPC分类号 ：
G01L1/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01L
测量力、应力、转矩、功、机械功率、机械效率或流体压力
G01L1/00
力或应力的一般计量
法律状态
1991-03-20 ：
专利权的终止未缴纳年费专利权终止
1989-03-29 ：
授权
1988-07-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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