一种薄膜电致发光器件及其制造法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明涉及一种薄膜电致发光器件及其制造法。本发明所述的发光器件以MgF2作激活物层和边缘保护层，其中激活物层厚为100-500，保护层厚度为300-500，并且本发明采用了新的金属-绝缘层-金属构型，以Al膜为负极，Au膜为正极。本发明所述的发光器件用真空电阻加热淀积法制造。该发光器件具有寿命长，能量转换率高，所发射的光可覆盖整个光谱段，制备工艺简单等优点，可广泛用于各种平板显示。
基本信息
专利标题 ：
一种薄膜电致发光器件及其制造法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1034295A
申请号 ：
CN88101492.3
公开（公告）日 ：
1989-07-26
申请日 ：
1988-03-18
授权号 ：
CN1009150B
授权日 ：
1990-08-08
发明人 ：
舒启清温维佳
申请人 ：
重庆大学
申请人地址 ：
四川省重庆市沙坪坝区
代理机构 ：
重庆大学专利事务所
代理人 ：
李解
优先权 ：
CN88101492.3
主分类号 ：
H05B33/14
IPC分类号 ：
H05B33/14 H05B33/10
法律状态
1993-07-07 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1991-03-20 ：
授权
1990-08-08 ：
审定
1989-08-23 ：
实质审查请求
1989-07-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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