延时关断电路中可控硅的过电流保护
视为撤回的专利申请
摘要
一种由可控硅、阻容元件构成的延时关断电路，在该电路的可控硅支路中串入继电器励磁线圈，使在可控硅的过电流允许持续时间内短路延时电容使延时提前快速结束，强迫可控硅关断而获得保护。
基本信息
专利标题 ：
延时关断电路中可控硅的过电流保护
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN88102200A
申请号 ：
CN88102200.4
公开（公告）日 ：
1988-11-16
申请日 ：
1988-04-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
高鸿飞
申请人 ：
高鸿飞
申请人地址 ：
广东省深圳市华富路黄木岗16栋312号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN88102200.4
主分类号 ：
H03K17/08
IPC分类号 ：
H03K17/08
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法律状态
1991-08-28 ：
视为撤回的专利申请
1988-11-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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