光响应阵列

专利权的终止未缴年费专利权终止

摘要

一种感测多个位置电磁辐射强度的阵列，采用了光电和非光响应二极管网络，各光电二极管的一端接到阵列一端的公共线。非光响应二极管接成同极性串联。各光响应二极管的第二端接到串联连接串中非光响应二极管的一个不同连结点。用斜波电压扫描该阵列，每一电流变化表示一光电二极管受照情况。用单晶半导体和非晶、多晶半导体薄膜，如非晶硅和电沉积含碲化镉半导体，易于制成单片式阵列而不存在大量相交迭的导体。

基本信息

专利标题：

光响应阵列

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN88102359A

申请号：

CN88102359.0

公开（公告）日：

1988-12-14

申请日：

1988-04-16

授权号：

CN1012404B

授权日：

1991-04-17

发明人：

米罗斯拉夫·翁德里斯

申请人：

斯坦科尔公司

申请人地址：

美国俄亥俄州

代理机构：

中国专利代理有限公司

代理人：

张志醒

优先权：

CN88102359.0

主分类号：

H01J40/14

IPC分类号：

H01J40/14 H01L27/14

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01J

放电管或放电灯

H01J40/00

不包含气体电离的放电管

H01J40/02

零部件

H01J40/14

不作为管子特殊应用的，且未包含在其他组的电路装置

法律状态

1995-06-07 ：

专利权的终止未缴年费专利权终止

1993-06-02 ：

著录项目变更

变更事项 : 申请人
变更前 : 斯坦科尔公司
变更后 : OIS光学成象系统有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 美国俄亥俄州
变更后 : 美国密歇根州

1991-12-25 ：

授权

1991-04-17 ：

审定

1990-08-08 ：

实质审查请求

1988-12-14 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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