低温度系统的永磁体
公开
摘要
本发明涉及永磁材料领域，是一类温度系数低、磁性能高、成本低、原料丰富的新型永磁体，其成份范围(at％)为：R5～20％，R′0.1～10％，Co5～35％，B1～15％，Cu0.01～10％M＜10％，其余为Fe和不可避免的杂质。该永磁体居里温度。高于500℃，最大磁能积大于25MGOe，温度系数低于-0.02％/C，可取代SmCo、AlNiCo永磁体，并在NdFeB永磁体由于温度特性差而不能应用的高温度稳定性、高性能领域得以应用。
基本信息
专利标题 ：
低温度系统的永磁体
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1038542A
申请号 ：
CN88103566.1
公开（公告）日 ：
1990-01-03
申请日 ：
1988-06-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郭灿杰
申请人 ：
郭灿杰
申请人地址 ：
北京市德胜门外黄寺大街21号
代理机构 ：
冶金专利事务所
代理人 ：
张小娟
优先权 ：
CN88103566.1
主分类号 ：
H01F1/08
IPC分类号 ：
H01F1/08 C22C38/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01F
磁体；电感；变压器；磁性材料的选择
H01F1/00
注意C部类名后的附注3，该附注指出了IPC中所参考的化学元素周期表版本。在本组中，所用的周期系统是在周期表中用罗马数字标注的八族系统。
H01F1/01
无机材料的
H01F1/03
按其矫顽力区分的
H01F1/032
硬磁材料的
H01F1/04
金属或合金
H01F1/06
颗粒状的，例如粉末
H01F1/08
压制的、烧结的或黏结在一起的
法律状态
1990-01-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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