一种在NPN型硅台面高反压管生产中的扩镓工艺
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
一种在NPN型硅台面高反压管生产中的扩镓工艺，属于NPN型硅台面高反压管生产工艺。将抛光、氧化后的硅片置于扩散炉里进行开管扩镓，先采用低浓度镓掺杂，结深推移，后表面高浓度镓掺杂，两者在同一炉内连续完成以形成P型基区，在磷扩散再分布后再进行低温短时间补镓。镓杂质源由潮湿氢气携带。本发明工艺简单，弥补了已有工艺的不足，产品电参数有较大辐度提高，且一致性好。
基本信息
专利标题 ：
一种在NPN型硅台面高反压管生产中的扩镓工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1036294A
申请号 ：
CN88105238.8
公开（公告）日 ：
1989-10-11
申请日 ：
1988-04-02
授权号 ：
CN1011932B
授权日 ：
1991-03-06
发明人 ：
林玉松李萍
申请人 ：
山东师范大学
申请人地址 ：
山东省济南市文化东路
代理机构 ：
山东省高等院校专利事务所
代理人 ：
崔日新
优先权 ：
CN88105238.8
主分类号 ：
H01L21/223
IPC分类号 ：
H01L21/223
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/22
杂质材料的扩散，例如在半导体或半导体的交界区掺入或析出掺杂材料，电极材料；杂质材料的再分配，例如，不引入或去除过多的掺杂剂
H01L21/223
应用从气相向固体或从固体向气相的扩散法
法律状态
1993-07-28 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1991-12-25 ：
授权
1991-03-06 ：
审定
1990-05-30 ：
实质审查请求
1989-10-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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