MOS电路的保护装置
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
在本保护装置中，焊接区(P)与被保护的晶体管之间的电阻是采用扩展区(e)来实现的，扩展区完全处于焊接区(P)之下并沿扩展区的整个周边延伸出去。细长区(Z)沿扩展区(e)的周边延伸，通过互连通路(b)与电路地端相接，细长区(Z)与互连通路(b)之间是低阻连接。
基本信息
专利标题 ：
MOS电路的保护装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1035204A
申请号 ：
CN88108454.9
公开（公告）日 ：
1989-08-30
申请日 ：
1988-10-20
授权号 ：
CN1022148C
授权日 ：
1993-09-15
发明人 ：
乌尔里克·塞里斯伯克哈德·吉贝尔
申请人 ：
德国ITT工业股份有限公司
申请人地址 ：
联邦德国弗赖堡
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人 ：
李强
优先权 ：
CN88108454.9
主分类号 ：
H01L27/085
IPC分类号 ：
H01L27/085 H01L23/62 H01L21/82
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/08
只包括有一种半导体组件的
H01L27/085
只包含场效应的组件
法律状态
2000-12-13 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1993-09-15 ：
授权
1990-11-07 ：
实质审查请求
1989-08-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
