半导体密封磁力传动快速退火装置
专利权的终止专利权有效期届满
摘要
半导体密封磁力传动快速退火装置，属于半导体器件制造的工艺技术。采用高频加热石墨板来对半导体材料进行退火，特点是采用全密封系统，退火前可预抽真空，采用磁力传动来驱动加工样品。经本装置退火的半导体材料具有电激活率高，杂质再分布小等优点，本装置不仅适于浅结，短沟道的超大规模集成电路的加工工艺，特别适于砷化镓(Ga As)等多元化合物半导体和其他对痕量氧、水汽极其敏感材料的退火。
基本信息
专利标题 ：
半导体密封磁力传动快速退火装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN88211587.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
1988-04-01
授权号 ：
CN88211587U
授权日 ：
1988-12-28
发明人 ：
史常忻忻尚衡李晓明
申请人 ：
上海市交通大学
申请人地址 ：
上海市华山路1954号
代理机构 ：
上海交通大学专利事务所
代理人 ：
詹宝
优先权 ：
CN88211587.1
主分类号 ：
H01L21/324
IPC分类号 ：
H01L21/324
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/324
用于改善半导体材料性能的热处理，例如退火、烧结
法律状态
1993-08-25 ：
专利权的终止专利权有效期届满
1989-11-01 ：
授权
1988-12-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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