含吸收紫外线辐射的次甲基残基的缩聚物及由此生产的成型制品
视为撤回的专利申请
摘要
用于模制诸如食品容器、软饮料瓶、固化结构塑料等制品的组合物，该组合物含有模塑级的线型不饱和聚酯或聚碳酸酯，该聚酯含有反应的或共聚的用上列通式表示的次甲基反应物或其混合物的残基，式中R、R、R、R及A和A的定义如说明书所述。存在于聚合物中的次甲基残基是聚合物链整体的组成部分，它能吸收大约250到大约390nm波段的紫外线辐射，该残基不能从聚合物中萃取出来，并且在聚合物制备和加工条件下是稳定的。
基本信息
专利标题 ：
含吸收紫外线辐射的次甲基残基的缩聚物及由此生产的成型制品
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1037162A
申请号 ：
CN89101416.0
公开（公告）日 ：
1989-11-15
申请日 ：
1989-01-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
马克斯·艾伦·韦弗韦恩·佩顿·普鲁埃特塞缪尔·戴维·希尔伯特
申请人 ：
伊斯曼柯达公司
申请人地址 ：
美国纽约州
代理机构 ：
中国专利代理有限公司
代理人 ：
刘元金
优先权 ：
CN89101416.0
主分类号 ：
C08L67/02
IPC分类号 ：
C08L67/02 C08K5/09
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C08
有机高分子化合物；其制备或化学加工；以其为基料的组合物
C08L
高分子化合物的组合物
C08L67/00
由主链中形成1个羧酸酯键反应得到的聚酯的组合物；此种聚合物的衍生物的组合物
C08L67/02
由二羧酸与二羟基化合物得到的聚酯
法律状态
1991-10-30 ：
视为撤回的专利申请
1989-11-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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