低聚硅氮烷及其制备方法
视为撤回的专利申请
摘要
本发明涉及新的低聚硅氮烷及其制备方法，该方法是，在-70℃-+100℃下，将过量的氨与R1R2SiCl2和Cl2R3SiCH2CH2SiR3Cl2的混合物反应，式中R1，R2各自为H，C1—C6烷基或C2—C6链烯基；R3＝C1—C6烷基或C2—C6链烯基；容易将低聚硅氮烷转变成聚氯硅氮烷，后者又可转变成含有氮硅化的陶瓷材料，收率高。
基本信息
专利标题 ：
低聚硅氮烷及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1047091A
申请号 ：
CN89108976.4
公开（公告）日 ：
1990-11-21
申请日 ：
1989-12-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
提洛·瓦赫斯
申请人 ：
赫彻斯特股份公司
申请人地址 ：
联邦德国法兰克福
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人 ：
张元忠
优先权 ：
CN89108976.4
主分类号 ：
C08G77/62
IPC分类号 ：
C08G77/62
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C08
有机高分子化合物；其制备或化学加工；以其为基料的组合物
C08G
用碳-碳不饱和键以外的反应得到的高分子化合物
C08G77/00
在高分子主链中形成含硅键合，有或没有硫、氮、氧，或碳键合反应得到的高分子化合物
C08G77/60
其中所有的硅原子是与氧以外的原子键合
C08G77/62
氮原子
法律状态
1992-09-09 ：
视为撤回的专利申请
1990-11-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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