制备高纯度、单分散憎水超细二氧化硅颗粒的方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明属于制备憎水SiO2颗粒的方法，将干的SiO2粉末在阳离子型或非离子型表面活性剂存在下加入有机溶剂经超声分散或振动分散，表面活性剂被吸附而使颗粒憎水，多余的表面活性剂可以用逆流层析法除去，经这样制备的SiO2具有单分散、高纯度的特点。
基本信息
专利标题 ：
制备高纯度、单分散憎水超细二氧化硅颗粒的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1057818A
申请号 ：
CN90103145.3
公开（公告）日 ：
1992-01-15
申请日 ：
1990-06-29
授权号 ：
CN1027251C
授权日 ：
1995-01-04
发明人 ：
唐芳琼李津茹袁金锁江龙
申请人 ：
中国科学院感光化学研究所
申请人地址 ：
100101北京市德外北沙滩
代理机构 ：
中国科学院专利事务所
代理人 ：
张载鹤
优先权 ：
CN90103145.3
主分类号 ：
C01B33/113
IPC分类号 ：
C01B33/113
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C01
无机化学
C01B
非金属元素；其化合物
C01B33/00
硅; 其化合物
C01B33/113
氧化硅；其水合物
法律状态
1997-08-13 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1995-01-04 ：
授权
1992-01-15 ：
公开
1991-02-27 ：
实质审查请求已生效的专利申请
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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