用自生真空工艺制造大复合体的方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明涉及一种制造大复合体的新工艺，其中基体金属与放置在附近的合适填料或预型接触，或者与至少一种第二种材料接触，在工艺中至少某点，反应气氛和熔融基体金属和/或填料或预型和/或不渗透容器之间发生反应。熔融基体金属渗透入填料或预型，使得仍然基体金属与至少一种第二种材料的至少部分接触。将基体金属冷却至其熔点之下，形成金属基体复合体，由固结在至少一种第二种材料的至少一部分上的金属基体复合体所组成。
基本信息
专利标题 ：
用自生真空工艺制造大复合体的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1048894A
申请号 ：
CN90104633.7
公开（公告）日 ：
1991-01-30
申请日 ：
1990-07-16
授权号 ：
CN1033046C
授权日 ：
1996-10-16
发明人 ：
罗伯特·坎贝尔·坎特拉特尼师·库玛·德维瓦迪
申请人 ：
兰克西敦技术公司
申请人地址 ：
美国特拉华州
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
吴大建
优先权 ：
CN90104633.7
主分类号 ：
C22C1/09
IPC分类号 ：
C22C1/09 B22F3/26 B22D19/14
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法律状态
2000-09-06 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1996-10-16 ：
授权
1992-10-07 ：
实质审查请求已生效的专利申请
1991-01-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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