贮氢合金薄膜的制备方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明涉及贮氢材料的制备。采用双源离子束溅射法制备贮氢合金薄膜，可用于镍-氢电池的负极，具有放电容量大、抗粉化能力强、循环寿命长等优点。
基本信息
专利标题 ：
贮氢合金薄膜的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1062770A
申请号 ：
CN90106043.7
公开（公告）日 ：
1992-07-15
申请日 ：
1990-12-24
授权号 ：
CN1026999C
授权日 ：
1994-12-14
发明人 ：
张允什王达雷宗保张大昕袁华堂胡伟康
申请人 ：
南开大学
申请人地址 ：
天津市卫津路94号
代理机构 ：
南开大学专利事务所
代理人 ：
赵尊生
优先权 ：
CN90106043.7
主分类号 ：
C23C14/46
IPC分类号 ：
C23C14/46 C23C14/14 C01B3/00 H01M4/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/46
用外部离子源产生的离子束法
法律状态
1999-02-17 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1994-12-14 ：
授权
1993-01-27 ：
实质审查请求的生效
1992-07-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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