中子照像闪烁增强屏
专利申请的视为撤回
摘要
利用小型密封中子源实现中子照像，是许多先进国家广泛采用的技术。由于小型中子源的源弱、引出中子束强度低，因此必须选用高灵敏度的中子转换显示装置。本发明是这样实现的，选用浓缩6LiF为反应材料；ZnS(Ag)为荧光材料，其特征是长余辉，中心粒度7μm；高分子聚合物EvA做粘结剂，6LiF∶ZnS(Ag)∶EvA＝1∶4.5∶1.25。将混合好的料在混炼机中加温至130—200℃混合均匀后，用模具压制而成。该屏的固有分辨率、相对黑度等主要性能优于英国研制的NE426屏。
基本信息
专利标题 ：
中子照像闪烁增强屏
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1054833A
申请号 ：
CN90108059.4
公开（公告）日 ：
1991-09-25
申请日 ：
1990-09-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
马维超金重铁李树忠周明达何跃芳
申请人 ：
东北师范大学
申请人地址 ：
130024吉林省长春市斯大林大街110号
代理机构 ：
东北师范大学专利事务所
代理人 ：
李荣武
优先权 ：
CN90108059.4
主分类号 ：
G01N23/05
IPC分类号 ：
G01N23/05
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N23/00
利用波或粒子辐射来测试或分析材料，例如未包括在G01N3/00-G01N17/00、G01N 21/00 或G01N 22/00中的X射线或中子
G01N23/02
通过使辐射透过材料
G01N23/04
并形成材料的图片
G01N23/05
利用中子
法律状态
1993-09-15 ：
专利申请的视为撤回
1991-09-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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