一种利用NPN晶体管锁闩电压的横向PNP晶体管

专利权的终止

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摘要

一种利用NPN晶体管的锁闩电压的横向PNP晶体管，用NPN晶体管的集电极和发射极之间的锁闩电压替代PNP晶体管的击穿电压，其中在P型扩散层内部形成一个n+型扩散层并作为公共端，因此在静电放电路径提高了静电耐压能力。

基本信息

专利标题：

一种利用NPN晶体管锁闩电压的横向PNP晶体管

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1052573A

申请号：

CN90109971.6

公开（公告）日：

1991-06-26

申请日：

1990-12-15

授权号：

CN1020027C

授权日：

1993-03-03

发明人：

李镐真

申请人：

三星电子株式会社

申请人地址：

韩国京畿道水原市

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利代理部

代理人：

邹光新

优先权：

CN90109971.6

主分类号：

H01L21/331

IPC分类号：

H01L21/331 H01L29/36

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/02

半导体器件或其部件的制造或处理

H01L21/04

至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层

H01L21/18

器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料

H01L21/328

制造双极型器件，例如二极管、晶体管、晶闸管的台阶式工艺

H01L21/33

包括3个或更多电极的器件

H01L21/331

晶体管

法律状态

2011-02-16 ：

专利权的终止

专利权有效期届满号牌文件类型代码 : 1611
号牌文件序号 : 101037095899
IPC(主分类) : H01L 21/331
专利号 : ZL901099716
申请日 : 19901215
授权公告日 : 19930303
期满终止日期 : 20101215

2002-04-24 ：

其他有关事项

1999-12-22 ：

著录项目变更

变更事项 : 专利权人
变更前 : 三星电子株式会社
变更后 : 快捷韩国半导体有限公司

1993-03-03 ：

授权

1991-06-26 ：

公开

1991-05-01 ：

实质审查请求已生效的专利申请

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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