一种利用NPN晶体管锁闩电压的横向PNP晶体管
专利权的终止
摘要
一种利用NPN晶体管的锁闩电压的横向PNP晶体管,用NPN晶体管的集电极和发射极之间的锁闩电压替代PNP晶体管的击穿电压,其中在P型扩散层内部形成一个n+型扩散层并作为公共端,因此在静电放电路径提高了静电耐压能力。
基本信息
专利标题 :
一种利用NPN晶体管锁闩电压的横向PNP晶体管
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1052573A
申请号 :
CN90109971.6
公开(公告)日 :
1991-06-26
申请日 :
1990-12-15
授权号 :
CN1020027C
授权日 :
1993-03-03
发明人 :
李镐真
申请人 :
三星电子株式会社
申请人地址 :
韩国京畿道水原市
代理机构 :
中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人 :
邹光新
优先权 :
CN90109971.6
主分类号 :
H01L21/331
IPC分类号 :
H01L21/331 H01L29/36
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体,如掺杂材料
H01L21/328
制造双极型器件,例如二极管、晶体管、晶闸管的台阶式工艺
H01L21/33
包括3个或更多电极的器件
H01L21/331
晶体管
法律状态
2011-02-16 :
专利权的终止
专利权有效期届满号牌文件类型代码 : 1611
号牌文件序号 : 101037095899
IPC(主分类) : H01L 21/331
专利号 : ZL901099716
申请日 : 19901215
授权公告日 : 19930303
期满终止日期 : 20101215
号牌文件序号 : 101037095899
IPC(主分类) : H01L 21/331
专利号 : ZL901099716
申请日 : 19901215
授权公告日 : 19930303
期满终止日期 : 20101215
2002-04-24 :
其他有关事项
1999-12-22 :
著录项目变更
变更事项 : 专利权人
变更前 : 三星电子株式会社
变更后 : 快捷韩国半导体有限公司
变更前 : 三星电子株式会社
变更后 : 快捷韩国半导体有限公司
1993-03-03 :
授权
1991-06-26 :
公开
1991-05-01 :
实质审查请求已生效的专利申请
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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