光热法硅中氧含量测量装置
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本实用新型涉及一种光热法杂质测量装置，适合于测量硅中杂质氧。可实现直接快速测量，且成本低廉。本实用新型由9μ中心波长光源(1)，红外探测系统(2)，可逆电机(3)，样品架(4)，弱永磁铁(5)，限位挡板(6)，磁控开关(7)，时间继电器(8)，接点(9)构成。其中9μ中心波长光源由反射罩(22)，碳矽棒(23)，锗透镜(25)，滤光片(24)组成，作为辐照源用。
基本信息
专利标题 ：
光热法硅中氧含量测量装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN90208351.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
1990-06-12
授权号 ：
CN2106370U
授权日 ：
1992-06-03
发明人 ：
顾彤
申请人 ：
北京科技大学
申请人地址 ：
100083北京市学院路30号
代理机构 ：
北京科技大学专利代理事务所
代理人 ：
刘月娥
优先权 ：
CN90208351.1
主分类号 ：
G01N21/35
IPC分类号 ：
G01N21/35
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N21/00
利用光学手段，即利用亚毫米波、红外光、可见光或紫外光来测试或分析材料
G01N21/17
入射光根据所测试的材料性质而改变的系统
G01N21/25
颜色；光谱性质，即比较材料对两个或多个不同波长或波段的光的影响
G01N21/31
测试材料在特定元素或分子的特征波长下的相对效应，例如原子吸收光谱术
G01N21/35
利用红外光
法律状态
1994-05-04 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1993-02-24 ：
授权
1992-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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