不同容量的相联DRAM冗余系统
专利申请的视为撤回
摘要
本发明公开了一种集成电路存储器系统，在该系统中，存储单元的一冗余阵列被分成许多块(或部分)，每一部分用相应于主存储器中的一个地址的一部分来编址，且能代替主存储器阵列中的许多块存储单元。
基本信息
专利标题 ：
不同容量的相联DRAM冗余系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1058666A
申请号 ：
CN91103920.1
公开（公告）日 ：
1992-02-12
申请日 ：
1991-06-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
希尔比·V·特朗
申请人 ：
德克萨斯仪器股份有限公司
申请人地址 ：
美国德克萨斯州
代理机构 ：
上海专利事务所
代理人 ：
沈昭坤
优先权 ：
CN91103920.1
主分类号 ：
G11C11/34
IPC分类号 ：
G11C11/34
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/08
应用多孔存储元件的，例如：应用多孔磁芯存储器；应用把几个单独的多孔存储元件合并起来的板
G11C11/21
应用电元件的
G11C11/34
应用半导体器件的
法律状态
1994-12-28 ：
专利申请的视为撤回
1993-10-20 ：
实质审查请求的生效
1992-02-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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