改进的导模法及其设备所用湿尖导模
专利权的终止
摘要

EFG生长空心晶体的新颖毛细导模及晶体生长方法。内、外环形迁围绕导模尖部。熔体从坩埚通过通道输送到沟,空心晶体生长过程中,沟中熔体湿润并覆盖内部、外部外侧表面。新颖导模结构有较低的导模尖部和较短毛细槽。可保持围绕导模尖部周边的温度基本均匀,提高导模尖部上生长的管形晶体壁厚的均匀度。该沟可减少因导模被淹没而发生中断或影响晶体生长过程。发生生长弯月面断裂时,该沟截获液态硅,防止或减少发生淹没导模及相关生长设备的现象。

基本信息
专利标题 :
改进的导模法及其设备所用湿尖导模
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1058055A
申请号 :
CN91104726.3
公开(公告)日 :
1992-01-22
申请日 :
1991-07-08
授权号 :
CN1032265C
授权日 :
1996-07-10
发明人 :
戴维·S·哈维布赖恩·H·麦金托什丹娜·L·温切斯特桑卡灵汉姆·拉金德兰
申请人 :
ASE美国公司
申请人地址 :
美国马萨诸塞州
代理机构 :
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 :
林长安
优先权 :
CN91104726.3
主分类号 :
C30B15/34
IPC分类号 :
C30B15/34  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
C30B15/34
使用成型模或缝隙的边缘限制熔膜供料的晶体生长
法律状态
2011-08-24 :
专利权的终止
专利权有效期届满号牌文件类型代码 : 1611
号牌文件序号 : 101098908722
IPC(主分类) : C30B 15/34
专利号 : ZL911047263
申请日 : 19910708
授权公告日 : 19960710
期满终止日期 : 20110708
2007-02-28 :
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
变更事项 : 专利权人
变更前 : RWE肖特太阳公司
变更后 : 肖特太阳公司
变更事项 : 地址
变更前 : 美国新麻萨诸塞州
变更后 : 美国新麻萨诸塞州
2004-08-04 :
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
变更事项 : 专利权人
变更前 : ASE美国公司
变更后 : RWE肖特太阳公司
变更事项 : 地址
变更前 : 美国马萨诸塞州
变更后 : 美国马萨诸塞州
2002-06-12 :
其他有关事项
1996-07-10 :
授权
1993-10-06 :
实质审查请求的生效
1992-01-22 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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