硅加热元件
专利申请的视为撤回
摘要
一种硅加热元件，包括一个高导热性的电绝缘基底(A)，该基底(A)承载着一硅层(B)和电接点(C)，最好用氧化铍或氮化铝来制作基底(A)。硅层(B)由多晶或非晶硅组成，其中掺杂P型或N型半导体掺杂剂，最好掺杂浓度高于1018/cm3。电接点是耐高温的，并熔合到硅层(B)上。另外，电接点由一层与电绝缘基底(A)接触的耐熔金属接点层(C′)和一种熔合到接点层(C′)上的第二耐温材料(C″)组成。通过将多晶或非晶硅层(B)涂敷到高导热性的电绝缘基底(A)上来制作硅加热元件。
基本信息
专利标题 ：
硅加热元件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1068006A
申请号 ：
CN91105300.X
公开（公告）日 ：
1993-01-13
申请日 ：
1991-06-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
博日达·佐里奇佩塔尔·比扬诺维奇兹德拉夫科·本德科维奇
申请人 ：
比罗工程师企业公司
申请人地址 ：
列支敦士登沙恩
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
马崇德
优先权 ：
CN91105300.X
主分类号 ：
H05B3/26
IPC分类号 ：
H05B3/26 H05B3/12 H05B3/03
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法律状态
1998-08-12 ：
专利申请的视为撤回
1994-11-23 ：
实质审查请求的生效
1993-01-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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