薄膜换能器/变压器组件
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
薄膜换能器/变压器组件包含在基片支承表面上第一位置形成的薄膜磁性换能器和第二位置形成的薄膜变压器。该换能器和变压器各配备有导电线圈。换能器包含一个底部磁极构件、一个顶部磁极构件及一个部分地放置在顶部与底部磁极构件间的导电线圈。变压器包含一个底部磁极构件、一个与底部磁极构件形成闭合磁路的顶部磁极构件以及放置在顶部与底部磁极构件之间的导电线圈。换能器线圈与变压器线圈以如下方式电耦合，即变压器线圈提供的输出信号幅度比换能器线圈所产生信号幅度增大。
基本信息
专利标题 ：
薄膜换能器/变压器组件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1069820A
申请号 ：
CN91105857.5
公开（公告）日 ：
1993-03-10
申请日 ：
1991-08-17
授权号 ：
CN1032334C
授权日 ：
1996-07-17
发明人 ：
林丰杰朱生勃
申请人 ：
马格内斯公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
吕晓章
优先权 ：
CN91105857.5
主分类号 ：
G11B5/31
IPC分类号 ：
G11B5/31 G11B5/17
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11B
基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储
G11B5/00
借助于记录载体的激磁或退磁进行记录的；用磁性方法进行重现的；为此所用的记录载体
G11B5/127
磁头的结构或制造，例如电感应的
G11B5/31
应用薄膜的
法律状态
1999-10-06 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1996-07-17 ：
授权
1993-03-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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