高硅低碳规则晶粒取向硅钢的生产方法
专利权的终止
摘要
本发明涉及一种最终规格为0.35-0.15mm或更薄的高硅低碳规则晶粒取向电工硅钢的生产方法，该方法包括在第一次冷轧阶段之后采取保温时间极短和两步控温冷却周期的中间退火，在脱碳之前，最好还采用一步超快速退火处理。试验结果清楚地表明，本发明所提供的中间退火工艺使铁损得以改善且增大了这些规则晶粒取向材料的二次晶粒生长的稳定性。较好的工艺是除了本发明的中间退火工艺外，采用超快速退火处理，它进一步为磁性再提高作准备。
基本信息
专利标题 ：
高硅低碳规则晶粒取向硅钢的生产方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1071960A
申请号 ：
CN91108401.0
公开（公告）日 ：
1993-05-12
申请日 ：
1991-10-29
授权号 ：
CN1033653C
授权日 ：
1996-12-25
发明人 ：
杰里W·舍恩
申请人 ：
阿姆柯股份有限公司
申请人地址 ：
美国俄亥俄州
代理机构 ：
上海专利商标事务所
代理人 ：
全永留
优先权 ：
CN91108401.0
主分类号 ：
C21D8/12
IPC分类号 ：
C21D8/12
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C21
铁的冶金
C21D
改变黑色金属的物理结构；黑色或有色金属或合金热处理用的一般设备；使金属具有韧性，例如通过脱碳或回火
C21D8/00
通过伴随有变形的热处理或变形后再进行热处理来改变物理性能
C21D8/12
在生产具有特殊电磁性能的产品时
法律状态
2011-12-14 ：
专利权的终止
专利权有效期届满号牌文件类型代码 : 1611
号牌文件序号 : 101151318348
IPC(主分类) : C21D 8/12
专利号 : ZL911084010
申请日 : 19911029
授权公告日 : 19961225
期满终止日期 : 20111029
号牌文件序号 : 101151318348
IPC(主分类) : C21D 8/12
专利号 : ZL911084010
申请日 : 19911029
授权公告日 : 19961225
期满终止日期 : 20111029
1996-12-25 ：
授权
1995-03-22 ：
实质审查请求的生效
1993-05-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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