耐温度变化的光导模制体及其制法
专利申请的视为撤回
摘要
由聚硅氮烷或聚氢氯硅氮烷制造光导模制体的方法。在此方法中将聚硅氮烷或聚氢氯硅氮烷挤压成模制体，或者将其溶于一种溶剂中并挤压成模制体，接着暴露在温度为10至200℃，相对湿度为20至100％的气体环境中0.1至24小时。此模制体具有皮层/芯结构，其中皮层由1至3重量％氧，20至25重量％氮和30至40重量％硅组成，芯100重量％由聚硅氮烷或聚氢氯硅氮烷组成。
基本信息
专利标题 ：
耐温度变化的光导模制体及其制法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1061419A
申请号 ：
CN91110737.1
公开（公告）日 ：
1992-05-27
申请日 ：
1991-11-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
托马斯·思特林约根·泰斯逖劳·瓦斯马丁·布柳克安德里思·伯劳克麦尔
申请人 ：
赫彻斯特股份公司
申请人地址 ：
联邦德国法兰克福
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人 ：
黄泽雄
优先权 ：
CN91110737.1
主分类号 ：
C08J5/00
IPC分类号 ：
C08J5/00 C08L83/00 B29D11/00 G02B1/04
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C08
有机高分子化合物；其制备或化学加工；以其为基料的组合物
C08J
加工；配料的一般工艺过程；不包括在C08B，C08C，C08F，C08G或C08H小类中的后处理
C08J5/00
含有高分子物质的制品或成形材料的制造
法律状态
1995-04-26 ：
专利申请的视为撤回
1993-12-01 ：
实质审查请求的生效
1992-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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