半导体记忆装置
专利申请的视为撤回
摘要
本发明系提供一种半导体记忆装置，系由：记忆单元、文字线、一对位元线、及自由充电手段所构成，其中更包含漏电流补偿电路，用以补偿与记忆单元连接的位元线的漏电流、及防止流入记忆单元的CMOS长周期电流，所用CMOS电晶体交叉结合，所构成的。
基本信息
专利标题 ：
半导体记忆装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1067325A
申请号 ：
CN92100194.0
公开（公告）日 ：
1992-12-23
申请日 ：
1992-01-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金昌来
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人 ：
杜日新
优先权 ：
CN92100194.0
主分类号 ：
G11C11/34
IPC分类号 ：
G11C11/34
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/08
应用多孔存储元件的，例如：应用多孔磁芯存储器；应用把几个单独的多孔存储元件合并起来的板
G11C11/21
应用电元件的
G11C11/34
应用半导体器件的
法律状态
1994-04-20 ：
专利申请的视为撤回
1992-12-23 ：
公开
1992-06-10 ：
实质审查请求已生效的专利申请
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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