干刻方法及其应用
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
一种干刻衬底表面的方法，其等离子体是下列气体的混合气体，(I)对衬底材料活性的气体，(II)惰性气体。衬底和活性气体离子间的反应生成物在衬底上的堆积由于惰性气体等离子体的离子而使它有效地去除，因此衬底的刻蚀速度未被降低。碳化硅SiC是本发明的等离子体刻蚀最适宜的对象，因为它难于用常规的干刻方法刻蚀。
基本信息
专利标题 ：
干刻方法及其应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1066512A
申请号 ：
CN92102953.5
公开（公告）日 ：
1992-11-25
申请日 ：
1992-03-21
授权号 ：
CN1036868C
授权日 ：
1997-12-31
发明人 ：
小枝胜大野哲也
申请人 ：
株式会社岛津制作所
申请人地址 ：
日本京都市
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
杨丽琴
优先权 ：
CN92102953.5
主分类号 ：
G02B5/18
IPC分类号 ：
G02B5/18 G03F7/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G02
光学
G02B
光学元件、系统或仪器附注
G02B5/00
除透镜外的光学元件
G02B5/18
衍射光栅
法律状态
2006-05-24 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
2002-06-12 ：
其他有关事项
1997-12-31 ：
授权
1994-10-12 ：
实质审查请求的生效
1992-11-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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