倾角附加吸收区型超辐射发光管
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明的倾角附加吸收区型超辐射发光管，属半导体异质结发光管。主要结构是在村底1上顺次生长有下限制层2、有源层3、上限制层4、盖层5、以及金属电极6，在腔长方向有一段是跟镜面14成倾斜角的电流注入条区8，另一段是没有电流注入的吸收区9。本发明具有抑制激射能力强、可形成大电流、大功率范围的超辐射发光，有较低的光谱调制深度，工艺难度低、成品率高、节约外延片等特点。
基本信息
专利标题 ：
倾角附加吸收区型超辐射发光管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1068682A
申请号 ：
CN92103592.6
公开（公告）日 ：
1993-02-03
申请日 ：
1992-05-19
授权号 ：
CN1031233C
授权日 ：
1996-03-06
发明人 ：
杜国同
申请人 ：
吉林大学
申请人地址 ：
130023吉林省长春市朝阳区解放大路83号
代理机构 ：
吉林大学专利事务所
代理人 ：
王恩远
优先权 ：
CN92103592.6
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00 H01S3/19
法律状态
1997-07-09 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1996-03-06 ：
授权
1993-03-24 ：
实质审查请求的生效
1993-02-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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