高硅低铝合金及其生产工艺
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
高硅低铝合金，合金中铝的含量(10％，Si的含量)83％，合金成分均匀，组织严密、晶粒细化。高硅低铝合金的生产工艺是从熔炉中取出熔液态硅，保温，向内加入熔液态铝，再向其中加入复合精炼剂，充分搅拌、排渣、除气，静止处理后注入铸模内，脱蘑精整得产品。按本工艺生产，能降低能耗，降低成本。经计算生产本合金比高铝合金，电耗降低2500-2700KWh/T，成本降低500元/T左右。
基本信息
专利标题 ：
高硅低铝合金及其生产工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1066476A
申请号 ：
CN92103852.6
公开（公告）日 ：
1992-11-25
申请日 ：
1992-05-12
授权号 ：
CN1026500C
授权日 ：
1994-11-09
发明人 ：
刘钧李大振孟宪昆朱江陵涂诗文
申请人 ：
湖南省进出口总公司通联公司;湖北省通山工业硅厂
申请人地址 ：
410000湖北省长沙市八一东路省进出口公司办公楼八楼
代理机构 ：
湖北省专利事务所
代理人 ：
朱盛华
优先权 ：
CN92103852.6
主分类号 ：
C22C21/02
IPC分类号 ：
C22C21/02 C21D7/06 C22B1/02
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C22
冶金；黑色或有色金属合金；合金或有色金属的处理
C22C
合金
C22C21/00
铝基合金
C22C21/02
硅作次主要成分的
法律状态
2001-07-04 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1994-11-09 ：
授权
1993-01-27 ：
实质审查请求的生效
1992-11-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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