晶体管反偏二次击穿测试装置
专利申请的视为撤回
摘要
本发明的装置对被测器件施加连续脉冲功率，当发生反偏二次击穿时，通过设置在基极电路中的反偏二次击穿检测器检测射频振荡，而后经单稳、R-S触发器进行反偏二次击穿指示、读数、终止测试一系列操作。与此同时，从被测器件的集电极设置一套独立的保护电路。该电路检测在集电极出现的任何负沿，并加以保护，由于负沿触发的高速度可以实现无损伤测试。又由于该高速保护电路所固有的微小延迟与SB检测器射频检测的脉冲形成电路的时间差，使保护与SB指示二者互不影响。
基本信息
专利标题 ：
晶体管反偏二次击穿测试装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1073530A
申请号 ：
CN92114463.6
公开（公告）日 ：
1993-06-23
申请日 ：
1992-12-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
易本健
申请人 ：
易本健
申请人地址 ：
100053北京市宣武区白广路华北电管局宿舍东楼一宅6户
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN92114463.6
主分类号 ：
G01R31/26
IPC分类号 ：
G01R31/26
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/26
•单个半导体器件的测试
法律状态
1997-04-09 ：
专利申请的视为撤回
1996-04-24 ：
实质审查请求的生效
1993-06-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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