磁控溅射铬靶的制造方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明属于由金属粉末制造制品的方法。主要适用于制造磁控溅射靶。该方法以电解铬粉为原料，经氢气还原后，粉碎，装套除气，然后进入热等静压机中成型，随后进行机加工制成成品。氢气还原温度为1200～1500℃，还原时间4～10小时；热等静压成型温度1200～1400℃，压力为101～110MPa，时间1～5小时。采用该方法所制取的铬板，铬的纯度可达99.9％，密度＞7.15g/cm3，达到理论密度的99.8％～100％，并且气体含量低，不仅具有一定的强度，而且还有较好的加工性能。
基本信息
专利标题 ：
磁控溅射铬靶的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1074843A
申请号 ：
CN93101604.5
公开（公告）日 ：
1993-08-04
申请日 ：
1993-02-17
授权号 ：
CN1025553C
授权日 ：
1994-08-03
发明人 ：
李华林刘旭单秉权代正平张玉春蔡华张解
申请人 ：
冶金工业部钢铁研究总院
申请人地址 ：
100081北京市学院南路76号
代理机构 ：
冶金专利事务所
代理人 ：
成光祜
优先权 ：
CN93101604.5
主分类号 ：
B22F1/00
IPC分类号 ：
B22F1/00 B22F3/00 B22F3/02
IPC结构图谱
B
B部——作业；运输
B22
铸造；粉末冶金
B22F
金属粉末的加工；由金属粉末制造制品；金属粉末的制造，金属粉末的专用装置或设备
B22F1/00
金属粉末的专门处理；如使之易于加工，改善其性质；金属粉末本身，如不同成分颗粒的混合物
法律状态
2006-04-26 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1994-08-03 ：
授权
1993-08-04 ：
公开
1993-07-28 ：
实质审查请求的生效
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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