铅系低温烧结弛豫铁电陶瓷瓷料组成及制造方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明涉及一种铅系低温烧结弛豫铁电陶瓷瓷料的组成及制造方法。该瓷料是以ZnO、MnO2、Nb2O6、SiO2、Fe2O3、Al2O3、CeO2等掺杂改性的低温烧结钨镁锆钛酸铅弛豫铁电陶瓷。其制备工艺为将普通化工原料三氧化钨、四氧化三铅、碱式碳酸镁、二氧化钛、氧化锌、氧化锰、五氧化铌、二氧化硅、氧化铁、氧化铅等按一配比混合磨细后，过60～80目筛。经700°～850℃预烧，并保温1-2小时，粉碎后磨细过120目或200筛，即可获得所需瓷料。
基本信息
专利标题 ：
铅系低温烧结弛豫铁电陶瓷瓷料组成及制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1081016A
申请号 ：
CN93107512.2
公开（公告）日 ：
1994-01-19
申请日 ：
1993-06-30
授权号 ：
CN1026535C
授权日 ：
1994-11-09
发明人 ：
桂治轮李龙土李英王雨万冬梅孙红飞
申请人 ：
清华大学
申请人地址 ：
100084北京市海淀区清华园
代理机构 ：
清华大学专利事务所
代理人 ：
罗文群
优先权 ：
CN93107512.2
主分类号 ：
H01G4/12
IPC分类号 ：
H01G4/12 H01G7/06 C04B35/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01G
电容器；电解型的电容器、整流器、检波器、开关器件、光敏器件或热敏器件
H01G4/00
固定电容器；及其制造方法
H01G4/002
零部件
H01G4/018
电介质
H01G4/06
固体电介质
H01G4/08
无机电介质
H01G4/12
陶瓷电介质
法律状态
2004-09-01 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1994-11-09 ：
授权
1994-01-19 ：
公开
1993-12-22 ：
实质审查请求的生效
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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