半导体存储装置
专利权的终止
摘要
位线ＢＬ０、/ＢＬ０接读出放大器。第１ＭＯＳ晶体管Ｑｎ栅极、源极和漏极分别接第１字线ＷＬ０、第１强电介质电容Ｃs１的第１电极和ＢL０，Ｃsl的第2电极接第1极板CP0。第２ＭＯＳ晶体管Ｑｎ的栅极、源极和漏极分别接第２字线ＤＷＬ０、第２电容Cd2的第１电极和／BL0，Cd2的第２电极接第２极板DCP0。第２Qn关断后，DCP0的逻辑电压反转。由此，采用强电介质的半导体存储装置可进行存储电容初始化，而且功耗不集中，能高速读出。
基本信息
专利标题 ：
半导体存储装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1091544A
申请号 ：
CN93112773.4
公开（公告）日 ：
1994-08-31
申请日 ：
1993-12-02
授权号 ：
CN1040706C
授权日 ：
1998-11-11
发明人 ：
平野博茂角辰己森脇信行中根让治
申请人 ：
松下电器产业株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
上海专利商标事务所
代理人 ：
竹民
优先权 ：
CN93112773.4
主分类号 ：
G11C11/40
IPC分类号 ：
G11C11/40 H01L27/105
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/08
应用多孔存储元件的，例如：应用多孔磁芯存储器；应用把几个单独的多孔存储元件合并起来的板
G11C11/21
应用电元件的
G11C11/34
应用半导体器件的
G11C11/40
应用晶体管的
法律状态
2012-02-15 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101182509880
IPC(主分类) : G11C 11/40
专利号 : ZL931127734
申请日 : 19931202
授权公告日 : 19981111
终止日期 : 20101202
号牌文件序号 : 101182509880
IPC(主分类) : G11C 11/40
专利号 : ZL931127734
申请日 : 19931202
授权公告日 : 19981111
终止日期 : 20101202
1998-11-11 ：
授权
1996-02-21 ：
实质审查请求的生效
1994-08-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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