改进了巴克毫森噪声抑制性能的磁阻装置及其制造方法
专利申请的视为撤回
摘要
能提高巴克豪森噪声抑制性能的一种改进了的磁阻装置及其制造方法。描述的一种共平面装置具有一MR结构导电区，通过为一非磁性金属或介质隔间层所分隔的两相对永磁层，给它提供纵向偏压。能在MR层与永磁层会合处邻近显著减少去磁能，尤其当采用椭圆形导电区时是如此。利用自调整工艺迅速且有重现性地制造出此大致共面式的装置。所述的纵向偏压技术能与所有周知的横向偏压技术相结合。
基本信息
专利标题 ：
改进了巴克毫森噪声抑制性能的磁阻装置及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1091543A
申请号 ：
CN93114513.9
公开（公告）日 ：
1994-08-31
申请日 ：
1993-11-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
詹姆斯·L·尼克斯盖伊·F·鲁斯安东尼·C·赫尔姆斯保罗·D·莱因霍尔茨丹尼尔·J·奥康纳
申请人 ：
落矶山磁技术公司
申请人地址 ：
美国科罗拉多
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
王礼华
优先权 ：
CN93114513.9
主分类号 ：
G11B5/39
IPC分类号 ：
G11B5/39
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11B
基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储
G11B5/00
借助于记录载体的激磁或退磁进行记录的；用磁性方法进行重现的；为此所用的记录载体
G11B5/127
磁头的结构或制造，例如电感应的
G11B5/33
磁通敏感磁头的结构或制造
G11B5/39
使用磁阻装置的
法律状态
2000-01-12 ：
专利申请的视为撤回
1996-02-28 ：
实质审查请求的生效
1994-08-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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