用于改善伺服定位精确性的磁电阻传感器及其制造方法

专利权的终止

摘要

一种磁阻传感器设计和制造方法，对于伺服元件来说它提供了一种改善的微磁迹分布线性，同时提供了稳定的线性的数据感应元件用于高密度磁带的磁头。通过在软膜偏置的磁阻传感器层和硬偏置稳定磁体的下方使用栅形图样可以提高数据传感器元件和伺服传感器元件的稳定性和均匀性。

基本信息

专利标题：

用于改善伺服定位精确性的磁电阻传感器及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1091219A

申请号：

CN93121529.3

公开（公告）日：

1994-08-24

申请日：

1993-12-29

授权号：

CN1058098C

授权日：

2000-11-01

发明人：

琼斯芬·Ａ·阿鲍夫伊德沃德·Ｖ·丹尼斯威森特·Ｎ·卡沃特

申请人：

国际商业机器公司

申请人地址：

美国纽约

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

杨国旭

优先权：

CN93121529.3

主分类号：

G11B5/39

IPC分类号：

G11B5/39 G11B5/31

IPC结构图谱

G部——物理

G11

信息存储

G11B

基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储

G11B5/00

借助于记录载体的激磁或退磁进行记录的；用磁性方法进行重现的；为此所用的记录载体

G11B5/127

磁头的结构或制造，例如电感应的

G11B5/33

磁通敏感磁头的结构或制造

G11B5/39

使用磁阻装置的

法律状态

2011-03-16 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101056293956
IPC(主分类) : G11B 5/39
专利号 : ZL931215293
申请日 : 19931229
授权公告日 : 20001101
终止日期 : 20100129

2000-11-01 ：

授权

1994-08-24 ：

公开

1994-07-20 ：

实质审查请求的生效

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

文件下载

暂无PDF文件可下载