圆筒形磁控管的屏蔽结构
专利申请的视为撤回
摘要
作为磁控管一部分的旋转的圆筒形溅射靶表面在靠近靶的每一端都有圆筒形屏蔽，屏蔽的内部边缘形状使腐蚀变得最大并且能在溅射某种材料(尤其是电介质)时防止不期望发生的凝聚和随后的电弧放电。另一种替换形式，给靶提供一个圆筒形屏蔽，将该屏蔽的圆筒体切开一个相当大的距离以提供一个开口，通过开口可看到靶的溅射区，还能保持靶端区的屏蔽作用。此单个屏蔽在靠近开口的内部边缘进行类似的成型。优选的屏蔽结构是可旋转的。
基本信息
专利标题 ：
圆筒形磁控管的屏蔽结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1094759A
申请号 ：
CN94100501.1
公开（公告）日 ：
1994-11-09
申请日 ：
1994-01-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
P·A·西克J·R·波特
申请人 ：
美国BOC氧气集团有限公司
申请人地址 ：
美国新泽西州
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
肖春京
优先权 ：
CN94100501.1
主分类号 ：
C23C14/35
IPC分类号 ：
C23C14/35
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的，例如磁控溅射
法律状态
2000-08-09 ：
专利申请的视为撤回
1994-11-09 ：
公开
1994-11-02 ：
实质审查请求的生效
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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