动态RAM及使用该RAM的信息处理系统
专利权的视为放弃
摘要
一种采用对成对MOSFET特性偏差进行补偿的读出放大器的动态RAM，位线的寄生电容至少是存储单元的电容的20倍。每根位线被开关MOSFET分成两部分，需要时可以断开。电路中提供了许多组存储器矩阵，每一组包括一个开关MOSFET，用于互连与读出放大器相连的公共源极线，因此在它们之间可以对公共源极线进行循环充电。
基本信息
专利标题 ：
动态RAM及使用该RAM的信息处理系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1092898A
申请号 ：
CN94100573.9
公开（公告）日 ：
1994-09-28
申请日 ：
1994-01-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
梶谷一彦高桥继雄大一义中村正行大鸟浩松本哲郎河原尊之
申请人 ：
株式会社日立制作所
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
范本国
优先权 ：
CN94100573.9
主分类号 ：
G11C21/00
IPC分类号 ：
G11C21/00 H01L27/108
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C21/00
所存储的信息是循环流动的数字存储器
法律状态
2000-04-05 ：
专利权的视为放弃
1996-01-31 ：
实质审查请求的生效
1994-09-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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