一种介质隔离半导体器件及其制造方法

专利权的终止

摘要

半导体器件包括衬底、氧化层和负性低掺杂(n)的单晶片。在片中刻蚀出围绕元件区的用于形成介质绝缘层的深槽。通过第1掩膜在元件区进行扩散，元件区的场效应晶体管就具有两个正性掺杂(P)的片状栅区。通过第2掩模在元件区对两个负性重掺杂(n+)区进行扩散，这些区形成晶体管的源区和漏区。该元件区为低掺杂(n)，容易耗尽载流子。根据RESURF法，元件区的电场强度很低，且场效应晶体管能耐高压而无电流击穿。在衬底上元件区只占很小的面积。

基本信息

专利标题：

一种介质隔离半导体器件及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1092557A

申请号：

CN94100576.3

公开（公告）日：

1994-09-21

申请日：

1994-01-25

授权号：

CN1036740C

授权日：

1997-12-17

发明人：

A·李特温

申请人：

艾利森电话股份有限公司

申请人地址：

瑞典斯德哥尔摩

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

董巍

优先权：

CN94100576.3

主分类号：

H01L29/772

IPC分类号：

H01L29/772 H01L29/06 H01L21/337

法律状态

2014-03-12 ：

专利权的终止

专利权有效期届满号牌文件类型代码 : 1611
号牌文件序号 : 101575523717
IPC(主分类) : H01L 29/772
专利号 : ZL941005763
申请日 : 19940125
授权公告日 : 19971217
期满终止日期 : 20140125

2004-10-06 ：

专利申请权、专利权的转移专利权的转移

变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 艾利森电话股份有限公司
变更后权利人 : 因芬尼昂技术股份公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 瑞典斯德哥尔摩
变更后权利人 : 德国慕尼黑
登记生效日 : 20040827

1997-12-17 ：

授权

1996-04-03 ：

实质审查请求的生效

1994-09-21 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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