介质光波导器件
专利权的终止
摘要

在借以制成光波导管的LiNbO3晶体基片上制成SiO2绝缘缓冲层,在缓冲层上制作Si半导体薄膜。在半导体薄膜上制作SiO2绝缘扩散抑制层,在扩散抑制层上设置一对金电极。电极经固相扩散进入半导体薄膜而生成硅化物的问题,可用扩散抑制层来防止。

基本信息
专利标题 :
介质光波导器件
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1100525A
申请号 :
CN94102498.9
公开(公告)日 :
1995-03-22
申请日 :
1994-02-28
授权号 :
CN1037996C
授权日 :
1998-04-08
发明人 :
箱木浩尚山根隆志
申请人 :
富士通株式会社
申请人地址 :
日本神奈川
代理机构 :
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 :
姜华
优先权 :
CN94102498.9
主分类号 :
G02F1/05
IPC分类号 :
G02F1/05  G02B6/10  
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IPC结构图谱
G
G部——物理
G02
光学
G02F
用于控制光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置,例如转换、选通、调制或解调,上述器件或装置的光学操作是通过改变器件或装置的介质的光学性质来修改的;用于上述操作的技术或工艺;变频;非线性光学;光学逻辑元件;光学模拟/数字转换器
G02F1/00
控制来自独立光源的光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置,例如,转换、选通或调制;非线性光学
G02F1/01
对强度、相位、偏振或颜色的控制
G02F1/03
基于陶瓷或电—光晶体的,例如,显示泡克耳斯或科尔效应的
G02F1/05
具有铁电性的
法律状态
2014-04-16 :
专利权的终止
专利权有效期届满号牌文件类型代码 : 1611
号牌文件序号 : 101581484147
IPC(主分类) : G02F 1/05
专利号 : ZL941024989
申请日 : 19940228
授权公告日 : 19980408
期满终止日期 : 20140228
1998-04-08 :
授权
1995-03-22 :
公开
1995-02-08 :
实质审查请求的生效
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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