电磁辐射入射束频率加倍方法
专利申请的视为撤回
摘要
电磁辐射入射束频率加倍方法，包括将电磁辐射的至少一束入射束射到含有透射介质的光学元件上的组件，介质由非中心对称构型中排列的极性直线校准分子偶极子构成。偶极子有通过共轭键系连接到选自SO2CFXY，CH＝CHSO2CFXY，COCFXY和S(CFXY)＝NSO2CFXY的电子接受体部分的电子给予体，X和Y选自H，F，Cl，Br，I，1-20碳的烃基，芳基，SR7和OR7，R7选自1-20碳烃基，芳基，而从所述光学元件上出射的电磁辐射是加倍的入射束频率。
基本信息
专利标题 ：
电磁辐射入射束频率加倍方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1141440A
申请号 ：
CN95115607.1
公开（公告）日 ：
1997-01-29
申请日 ：
1990-11-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郑立德A·E·菲林W·谭
申请人 ：
纳幕尔杜邦公司
申请人地址 ：
美国特拉华州
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
吴大建
优先权 ：
CN95115607.1
主分类号 ：
G02B1/00
IPC分类号 ：
G02B1/00 G02F1/37
IPC结构图谱
G
G部——物理
G02
光学
G02B
光学元件、系统或仪器附注
G02B1/00
按制造材料区分的光学元件；用于光学元件的光学涂层
法律状态
1999-08-04 ：
专利申请的视为撤回
1997-01-29 ：
公开
1997-01-08 ：
实质审查请求的生效
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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