高铊粗镉的真空冶炼方法
专利权的终止
摘要
本发明涉及一种高铊粗镉的真空冶炼方法，采用含量为0.1～5wt％铊的粗镉为原料，熔融状态的原料进入真空炉中，控制真空度为1～10Pa，温度为380～460℃，保持真空度和温度不变，冶炼时间30～90min，使镉在真空低压条件下挥发，铊不挥发，可以使镉中铊的含量降到0.0015～0.002wt％，得到纯度大于99.99％的镉，达到精镉的要求。具有工艺流程简单、成本低、对环境污染小的特点。
基本信息
专利标题 ：
高铊粗镉的真空冶炼方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1752233A
申请号 ：
CN200510011050.0
公开（公告）日 ：
2006-03-29
申请日 ：
2005-10-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杨斌戴永年杨部正刘永成刘大春马文会唐万启陈为亮李伟宏徐宝强姚耀春周晓奎
申请人 ：
昆明理工大学
申请人地址 ：
650031云南省昆明市学府路253号
代理机构 ：
昆明慧翔专利事务所
代理人 ：
程韵波
优先权 ：
CN200510011050.0
主分类号 ：
C22B9/04
IPC分类号 ：
C22B9/04 C22B17/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C22
冶金；黑色或有色金属合金；合金或有色金属的处理
C22B
金属的生产或精炼；原材料的预处理
C22B9/00
金属精炼或重熔的一般方法；金属电渣或电弧重熔的设备
C22B9/04
真空精炼
法律状态
2011-12-14 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101151910382
IPC(主分类) : C22B 9/04
专利号 : ZL2005100110500
申请日 : 20051008
授权公告日 : 20070912
终止日期 : 20101008
号牌文件序号 : 101151910382
IPC(主分类) : C22B 9/04
专利号 : ZL2005100110500
申请日 : 20051008
授权公告日 : 20070912
终止日期 : 20101008
2007-09-12 ：
授权
2006-05-24 ：
实质审查的生效
2006-03-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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