制备一维取向的纳米二氧化钛管状晶薄膜的方法
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
摘要
本发明公开了一种制备一维取向的纳米TiO2管状晶薄膜的方法，包括：(1)制备ZnO籽晶层；(2)制备ZnO柱晶模板；(3)涂覆TiO2溶胶；(4)去除ZnO模板。本发明的有益效果是弥补了Ti箔片阳极氧化法或氧化铝模板法的不足，提供了一种实现多孔、有序、大面积成膜的制备一维取向的纳米TiO2管状晶薄膜的方法，且工艺简单，成本低廉，并作到了对多孔薄膜的比表面积、晶粒大小、形貌和结晶性等进行有效控制，更优异地在太阳能电池领域中得以应用。
基本信息
专利标题 ：
制备一维取向的纳米二氧化钛管状晶薄膜的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1769548A
申请号 ：
CN200510015349.3
公开（公告）日 ：
2006-05-10
申请日 ：
2005-10-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
靳正国邱继军刘晓新刘志锋
申请人 ：
天津大学
申请人地址 ：
300072天津市南开区卫津路92号
代理机构 ：
天津市北洋有限责任专利代理事务所
代理人 ：
刘国威
优先权 ：
CN200510015349.3
主分类号 ：
C30B29/66
IPC分类号 ：
C30B29/66
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/60
以形状为特征的
C30B29/66
几何形状复杂的晶体，例如管状、圆筒状的晶体
法律状态
2009-12-09 ：
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2007-09-19 ：
授权
2006-07-05 ：
实质审查的生效
2006-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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