低温制备C轴择优取向二氧化钛薄膜的方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明提出了一种低温制备c轴择优取向二氧化钛薄膜的方法。该方法是将钛的氟化物或/和氟钛酸盐溶解在纯水中，然后加入硼酸作为氟离子捕获剂，配成处理溶液，处理溶液的pH值为1.0～2.3，把不锈钢基片垂直浸入到上述处理溶液中，密封后放入温度为40～80℃的烘箱中保温处理5～24小时，取出不锈钢基片并用蒸馏水或去离子水冲洗，在＜100℃干燥，即得到c轴择优取向二氧化钛薄膜。本方法所获得的c轴择优取向二氧化钛薄膜除了可用作光电子功能材料、建筑和装饰装修材料之外，还可用于污水处理、室内外空气净化及杀菌；同时制备方法简单，具有工业化生产的前景。
基本信息
专利标题 ：
低温制备C轴择优取向二氧化钛薄膜的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1786264A
申请号 ：
CN200510019713.3
公开（公告）日 ：
2006-06-14
申请日 ：
2005-11-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
余家国余火根程蓓
申请人 ：
武汉理工大学
申请人地址 ：
430070湖北省武汉市武昌区珞狮路122号
代理机构 ：
湖北武汉永嘉专利代理有限公司
代理人 ：
张安国
优先权 ：
CN200510019713.3
主分类号 ：
C23C18/00
IPC分类号 ：
C23C18/00 C01G23/053
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18/00
通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆；接触镀
法律状态
2008-06-11 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-08-09 ：
实质审查的生效
2006-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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