电致发光多孔硅材料及其制备方法
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
摘要
本发明公开了一种电致发光多孔硅及其制备方法，属于电致发光多孔硅材料技术。所述的电致发光多孔硅材料由硅基底层，在硅基底层一侧的上方为多孔硅层，多孔硅层之上为平均直径为200－500纳米、长度为2－10微米的硅线层构成。其制备方法过程包括将经过清洗的硅片置入由氢氟酸和硝酸银的水溶液中进行化学刻蚀，刻蚀后的硅片再置于氢氟酸、乙醇的水溶液中进行电化学刻蚀制得电致发光多孔硅材料。本发明的优点在于制备过程简单，所制得的电致发光多孔硅材料在多孔硅层上部形成硅线层，从而具有较现有电致发光多孔硅更高效的发光能力。
基本信息
专利标题 ：
电致发光多孔硅材料及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1805160A
申请号 ：
CN200510016317.5
公开（公告）日 ：
2006-07-19
申请日 ：
2005-11-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杜希文鲁颖炜孙景李竞强
申请人 ：
天津大学
申请人地址 ：
300072天津市卫津路92号
代理机构 ：
天津市学苑有限责任专利代理事务所
代理人 ：
任延
优先权 ：
CN200510016317.5
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00 H05B33/14 H05B33/10 C09K11/59
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法律状态
2010-01-20 ：
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2007-11-07 ：
授权
2006-09-13 ：
实质审查的生效
2006-07-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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